--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 65C6280-VB MOSFET 產品簡介
65C6280-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO220封裝。由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技術制造,具有高電壓承載能力和中等導通電阻,適用于中功率到高功率的電力電子應用。
### 詳細參數說明
- **型號**: 65C6280-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 700V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 210mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊實例
1. **工業電源**: 65C6280-VB可用于工業電源系統中的開關電源和逆變器,如工業控制設備、電動機驅動器和電力傳輸系統,提供穩定的電力轉換和高效的功率管理。
2. **電動車充電器**: 在電動車充電設備中的功率開關和電池管理系統中,該MOSFET能夠支持高電壓轉換和快速充電,確保安全和高效的電池充放電。
3. **太陽能逆變器**: 在太陽能發電系統的逆變器中,65C6280-VB可用于將直流電轉換為交流電,以供電網或其他用電設備使用,實現可再生能源的有效利用。
4. **高壓電源管理**: 在需要高壓穩定輸出的應用中,如X射線設備、醫療成像系統和精密儀器的電源管理電路中,確保穩定的電壓和電流輸出。
5. **電力輸配設備**: 在電力輸配設備如變電站和電力分配單元中,用于開關控制和電力電子保護裝置,保證電力系統的安全和穩定運行。
綜上所述,65C6280-VB MOSFET因其高電壓承載能力、適中的導通電阻和廣泛的應用場景,是設計需要高效能和可靠性的電力控制系統的理想選擇。
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