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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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60N55F3-VB TO251一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 60N55F3-VB TO251
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**型號:** 60N55F3-VB  
**封裝:** TO251  
**配置:** 單N溝道  
**VDS:** 60V  
**VGS:** 20(±V)  
**Vth:** 2.5V  
**RDS(ON):** 
- 6mΩ @ VGS=4.5V  
- 5mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 97A  
**技術:** Trench

60N55F3-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO251封裝,適用于高功率應用。它具有60V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS),以及2.5V的門限電壓(Vth)。其導通電阻(RDS(ON))在不同柵極-源極電壓下為6mΩ(在VGS=4.5V時)和5mΩ(在VGS=10V時),最大連續漏極電流(ID)為97A。采用Trench技術的設計,能夠提供優異的導通特性和高效的功率管理能力。

### 詳細參數說明

| 參數                | 數值        |
|-------------------|-----------|
| 型號                | 60N55F3-VB |
| 封裝                | TO251     |
| 配置                | 單N溝道    |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 60V       |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 20(±V)  |
| 門限電壓(Vth)      | 2.5V      |
| 導通電阻(RDS(ON))  | 6mΩ @ VGS=4.5V, 5mΩ @ VGS=10V |
| 最大連續漏極電流(ID)| 97A       |
| 技術                | Trench    |

### 應用領域與模塊舉例

1. **電源模塊(Power Modules):**
  60N55F3-VB MOSFET適用于各類高功率電源模塊中的功率開關電路。其極低的導通電阻和高電流承載能力使其能夠有效地處理高功率轉換和穩定的電源輸出需求。

2. **電動工具和電動車輛(Power Tools and Electric Vehicles):**
  在需要處理高功率和高電流的電動工具和電動車輛中,這款MOSFET可以作為關鍵的功率開關元件。其優秀的電性能和穩定的工作特性有助于提升設備的功率密度和運行效率。

3. **電源管理單元(Power Management Units):**
  在需要高效能量管理和穩定電壓輸出的應用中,如電源管理單元和電動機控制器中,60N55F3-VB MOSFET可以提供可靠的電源開關控制和功率管理。

4. **服務器和數據中心(Servers and Data Centers):**
  在需要高效的電能轉換和穩定的電源供應下,這款MOSFET可以應用于服務器和數據中心的電源管理單元中,確保系統的穩定性和能效。

通過以上示例,60N55F3-VB MOSFET展示了其在高功率、高電流和高效能量管理應用場景中的優越性能,適合于電源模塊、電動工具、電動車輛、電源管理單元和數據中心等多個領域的關鍵電路設計。

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