### 5R299P-VB MOSFET 產品簡介

5R299P-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO-247封裝。由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有高電流和低導通電阻的特點，適用于需要高功率和高效能轉換的電力電子應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: 5R299P-VB
- **封裝**: TO-247
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 80mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 40A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊實例

1. **工業電力設備**: 5R299P-VB適用于工業電力系統中的大功率逆變器和變頻器。其高電流處理能力和低導通電阻能夠有效提高能量轉換效率，適合用于電機驅動和高功率電源系統。

2. **電動車電源系統**: 在電動汽車和混合動力車輛的電動機驅動系統中，該MOSFET可以提供高效能的功率開關控制，幫助提升車輛的動力性能和續航里程。

3. **太陽能逆變器**: 用于太陽能光伏系統中的逆變器電路，5R299P-VB能夠有效地將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電，以供電網使用或獨立發電系統。

4. **高性能服務器電源**: 在數據中心和高性能計算機系統中，該MOSFET可以用作高效能的電源開關元件，幫助提供穩定的電力供應和能效優化。

5. **工業高頻電源**: 在需要高頻率和高效能電源轉換的工業設備中，5R299P-VB能夠有效地控制電能的轉換和分配，如高頻逆變器、工業電爐等。

綜上所述，5R299P-VB MOSFET以其高電流承載能力、低導通電阻和穩定的性能特性，在多種高功率和高效能電子設備中展現了廣泛的應用潛力，是設計高性能電力電子系統的理想選擇。