### 1. 產品簡介

5R299P-VB 是一款單N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備高性能和高電流處理能力，適合用于要求高電壓和高電流控制的應用場合。采用了SJ_Multi-EPI技術，保證了其在高壓環境下的穩定性和可靠性。

### 2. 詳細參數說明

- **型號**: 5R299P-VB
- **封裝**: TO220F
- **溝道類型**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**: 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**: ±30V
- **門閾電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 3. 應用示例

5R299P-VB 可以廣泛應用于以下領域和模塊：

- **電動汽車充電器**: 在電動車充電器中，5R299P-VB 可以用作開關器件，負責高電流的開關和控制，確保高效能的充電過程和設備安全性。

- **工業電源系統**: 在工業電源和電能轉換系統中，5R299P-VB 的高壓耐受能力和低導通電阻使其成為逆變器和開關電源的理想選擇，提高系統的效率和穩定性。

- **電動工具和高功率電子設備**: 作為電動工具和其他高功率電子設備中的開關器件，確保設備能夠承受高電壓和高電流條件下的長時間運行。

這些示例展示了5R299P-VB 在高性能、高電流控制應用中的優越性能和廣泛適用性，是工程師在設計需要穩定和高效能控制的電子系統時的理想選擇。