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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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5R250P-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 5R250P-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:** 5R250P-VB TO263  
**封裝:** TO263  
**配置:** 單N溝道  
**VDS:** 650V  
**VGS:** 30(±V)  
**Vth:** 3.5V  
**RDS(ON):** 160mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 20A  
**技術(shù):** SJ_Multi-EPI

5R250P-VB TO263是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO263封裝,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)和30V的柵極-源極電壓(VGS)。其開啟電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為160mΩ(在VGS=10V時),最大連續(xù)漏極電流(ID)為20A。該MOSFET采用SJ_Multi-EPI技術(shù),結(jié)合了多重外延技術(shù),適用于高壓、高電流和低導(dǎo)通電阻要求的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 數(shù)值        |
|-------------------|-----------|
| 型號                | 5R250P-VB TO263 |
| 封裝                | TO263      |
| 配置                | 單N溝道     |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 650V       |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 30(±V)   |
| 門限電壓(Vth)      | 3.5V       |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))  | 160mΩ @ VGS=10V |
| 最大連續(xù)漏極電流(ID)| 20A        |
| 技術(shù)                | SJ_Multi-EPI |

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電動車充電樁(EV Charging Stations):**
  5R250P-VB TO263 MOSFET適用于電動車充電樁的直流充電模塊中。其高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠提供高效的電源開關(guān)控制,處理充電樁中的高電流要求,確保充電效率和速度。

2. **工業(yè)電源模塊(Industrial Power Modules):**
  在工業(yè)電源模塊中,這款MOSFET可以作為開關(guān)管,用于處理工廠設(shè)備和機械的電源控制。其高電壓能力和低導(dǎo)通電阻確保了工業(yè)設(shè)備的高效運行和可靠性。

3. **太陽能逆變器(Solar Inverters):**
  在太陽能逆變器中,5R250P-VB TO263 MOSFET能夠幫助實現(xiàn)從直流電到交流電的高效能量轉(zhuǎn)換。它能夠處理逆變器中的高電壓和電流要求,提升逆變器的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。

4. **電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)(Electric Vehicle Drive Systems):**
  在電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電動機控制電路,處理高電壓和高電流的要求。它能夠提供可靠的電機驅(qū)動和效率,支持電動汽車的高性能和長續(xù)航能力。

通過以上示例,5R250P-VB TO263 MOSFET展示了其在高壓、高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用場景中的優(yōu)越性能,適合于電動車充電、工業(yè)電源和電動車驅(qū)動等多個領(lǐng)域的關(guān)鍵電路設(shè)計。

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