### 產品簡介
**型號：5N50-VB**
**封裝：TO252**
**配置：單N溝道**
5N50-VB是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有高漏極電壓和適中導通電阻，適用于需要高電壓承受能力和適中電流承載能力的應用場合。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵源極電壓 (VGS)**：30V（±）
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：5A
- **技術類型**：SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊
5N50-VB適用于以下領域和模塊，特別是需要高電壓承受能力和適中電流承載能力的場合：
1. **電源管理**：
- **開關電源**：用于工業和消費類電子設備中的高效能源轉換器，如電動工具、變頻空調等。
2. **照明電源**：
- **LED驅動**：作為LED照明系統中的開關元件，控制LED燈的電流和亮度，提供穩定和高效的電源管理。
3. **工業控制**：
- **電機驅動**：用于工業設備中的電機控制，支持高壓和適中電流的電機運行和轉速控制。
4. **電動車充電器**：
- **電動車充電系統**：作為充電器中的開關裝置，確保電動車電池充電時的高效能轉換和安全穩定的充電過程。
5N50-VB適用于需要可靠的高電壓開關功能和適中電流承載能力的各種應用場合，能夠提供穩定的電源管理和高效能的電能轉換，是工業電子和電動車等領域的理想選擇。
