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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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50N06L-TN3-R-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 50N06L-TN3-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

50N06L-TN3-R-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。它采用Trench技術設計,具有60V的漏源電壓能力和低導通電阻,適合中功率負載開關和電源控制應用。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 13mΩ @ VGS = 4.5V, 10mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 58A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

50N06L-TN3-R-VB適用于以下幾個主要領域和模塊:

1. **電源開關和逆變器**:
  由于其中等漏源電壓和低導通電阻特性,50N06L-TN3-R-VB適合用于中功率負載開關和電源控制應用。例如,可以應用于DC-DC轉換器、LED驅動器、消費電子產品的電源管理模塊等,提供可靠的電流控制和能量轉換功能。

2. **汽車電子**:
  在汽車電子系統中,如汽車照明系統、動力座椅控制、電池管理系統中,50N06L-TN3-R-VB可作為電源開關和電流控制器,提供高效和可靠的電能轉換和保護功能。

3. **工業自動化**:
  在工業控制設備、機器人控制和自動化系統中,需要管理和控制大功率負載的場合,50N06L-TN3-R-VB能夠有效地實現電源管理和負載控制,確保設備的穩定運行和效率。

4. **消費電子**:
  在需要高效能量管理和電池保護的消費電子產品中,如平板電腦、智能手機充電管理系統等,50N06L-TN3-R-VB可以應用于電源開關和功率控制模塊,提供穩定的電源輸出和電池管理功能。

綜上所述,50N06L-TN3-R-VB TO252 MOSFET以其適中的漏源電壓和低導通電阻,在多種中功率負載開關和電源控制應用中提供了可靠的解決方案,廣泛適用于工業、汽車、消費電子等領域的多種應用場景。

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