--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**型號:4P04L06-VB**
**封裝:TO263**
**配置:單P溝道**
4P04L06-VB是一款高性能單P溝道MOSFET,采用Trench技術制造,適用于負向工作電壓要求的應用場合。該器件具有低導通電阻和高電流承載能力,適合需要高效能量控制和轉換的電子設備。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO263
- **配置**:單P溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:-40V
- **柵源極電壓 (VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:-2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:8.28mΩ @ VGS=4.5V, 4.1mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:-110A
- **技術類型**:Trench

### 應用領域和模塊
4P04L06-VB MOSFET適用于多種需要負向工作電壓和高電流處理的應用場景:
1. **電源管理**:
- **電源逆變器**:在太陽能逆變器中,將直流電能轉換為交流電能。
- **電動汽車充電**:用作電動汽車充電樁中的功率開關,支持高功率快速充電。
2. **電動工具**:
- **工業電動工具**:如電動鉆、電動錘等,在工業生產中提供高效的動力驅動。
3. **汽車電子**:
- **動力傳動系統**:在電動汽車的動力總成中,控制電能轉換和驅動電機的功率管理。
4. **通信設備**:
- **基站電源管理**:用于電信基站的電源管理系統,確保設備穩定運行和電能效率。
4P04L06-VB MOSFET因其穩定的性能和高效的電能控制能力,在現代電子設備和工業應用中具有廣泛的應用前景。
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