### 產品簡介

4N80L-TN3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO252封裝。它采用SJ_Multi-EPI技術設計，具有高達800V的漏源電壓和適中的導通電阻，適合高壓應用場合的功率開關和控制。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 800V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2600mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊

4N80L-TN3-T-VB適用于以下幾個主要領域和模塊：

1. **電源開關和逆變器**:
  由于其高達800V的漏源電壓和適中的導通電阻，4N80L-TN3-T-VB適合用于開關電源（SMPS）、電源逆變器和直流-交流轉換器。這些應用需要處理較高的電壓和較低的電流，保證了設備在各種電源條件下的穩定運行。

2. **電動車充電樁**:
  在電動車充電設備中，需要處理高電壓和低電流的場合，如公共充電站和私人充電設施。4N80L-TN3-T-VB的高電壓耐受性和適中的電流特性，使其成為電動車充電設備中的理想選擇。

3. **工業電力供應**:
  用于工業電力控制和分配系統中，如電力電子變流器和電力傳輸設備。該型號MOSFET能夠有效地控制和調節電力傳輸過程中的高壓電流，確保系統的高效運行和穩定性。

4. **照明控制**:
  在需要處理高電壓和低電流的照明控制系統中，如高壓LED驅動器和戶外照明應用，4N80L-TN3-T-VB提供了可靠的功率開關和電壓調節能力，確保照明系統的高效和長壽命運行。

綜上所述，4N80L-TN3-T-VB TO252 MOSFET以其高漏源電壓和適中的導通電阻，為高壓電源管理和開關控制提供了可靠的解決方案，適用于多種工業和電力應用場景。