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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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4N70L-TM3-T-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 4N70L-TM3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 4N70L-TM3-T-VB TO251 MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

4N70L-TM3-T-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO251封裝。該器件具備高達(dá)700V的漏極電壓(VDS)和±30V的柵極電壓(VGS)額定值,閾值電壓(Vth)為3.5V。采用SJ_Multi-EPI技術(shù),具有較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS為10V時(shí)為2400毫歐,能夠提供最大2A的漏極電流(ID)。設(shè)計(jì)用于高壓應(yīng)用,并具備良好的耐壓特性和熱穩(wěn)定性。

### 4N70L-TM3-T-VB TO251 MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)      | 值                             |
|-----------|--------------------------------|
| 封裝      | TO251                          |
| 配置      | 單N溝道                        |
| 漏極電壓 (VDS) | 700V                          |
| 柵極電壓 (VGS) | ±30V                          |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V                           |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 2400mΩ                        |
| 漏極電流 (ID) | 2A                             |
| 技術(shù)      | SJ_Multi-EPI                   |

### 4N70L-TM3-T-VB TO251 MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 應(yīng)用領(lǐng)域
1. **電力電子**:適用于高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)和直流-交流逆變器(DC-AC Inverter)中的功率開(kāi)關(guān)模塊,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流控制。
2. **電動(dòng)車充電設(shè)備**:用于電動(dòng)汽車充電樁中的功率開(kāi)關(guān)和電流控制模塊,確保高效能量轉(zhuǎn)換和安全的充電過(guò)程。
3. **太陽(yáng)能逆變器**:在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的逆變器模塊中,實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和最大化能量輸出。
4. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和機(jī)械中,用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、伺服控制和PLC控制單元,提供可靠的電力管理和控制。

#### 模塊舉例
1. **高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器**:在通信基站和工業(yè)設(shè)備中的高壓直流-直流轉(zhuǎn)換模塊中,4N70L-TM3-T-VB 可提供穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換和高效的能量管理。
2. **電動(dòng)汽車充電樁**:用于電動(dòng)汽車充電設(shè)備的功率開(kāi)關(guān)和控制模塊,實(shí)現(xiàn)高效的電池充電和管理。
3. **工業(yè)電源管理**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,確保穩(wěn)定的電力供應(yīng)和高效的電能轉(zhuǎn)換,適用于各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和電力傳輸系統(tǒng)。

通過(guò)其高漏極電壓額定值和穩(wěn)定的性能特征,4N70L-TM3-T-VB TO251 MOSFET 適用于多種高壓和功率應(yīng)用場(chǎng)合,能夠滿足復(fù)雜電力電子系統(tǒng)的需求,提供可靠的電力管理和控制。

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