### 產(chǎn)品簡介
4N60ZG-TF3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝。它采用Plannar技術(shù)設(shè)計，適用于中高壓應(yīng)用，具有較高的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻，適合要求中等功率處理的場合。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
4N60ZG-TF3-T-VB適用于以下幾個主要領(lǐng)域和模塊：
1. **電源開關(guān)和逆變器**:
由于其高達650V的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻，4N60ZG-TF3-T-VB適合用于開關(guān)電源（SMPS）、電源逆變器和直流-交流轉(zhuǎn)換器。這些應(yīng)用通常需要處理中等功率和較高的電壓，保證了設(shè)備在各種電源條件下的穩(wěn)定運行。
2. **照明和電力控制**:
在LED照明驅(qū)動和其他照明控制系統(tǒng)中，特別是需要處理高電壓和電流的場合，如工業(yè)照明和戶外照明應(yīng)用，4N60ZG-TF3-T-VB提供了可靠的功率開關(guān)和電壓調(diào)節(jié)能力。
3. **電動汽車充電設(shè)備**:
作為電動汽車充電樁的關(guān)鍵部件，該型號MOSFET能夠處理高達650V的電壓和適中的電流，確保充電過程中的高效能和穩(wěn)定性，滿足電動汽車快速充電的需求。
4. **工業(yè)控制和電氣設(shè)備**:
在工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中，如PLC控制、電機驅(qū)動器和工廠自動化設(shè)備，4N60ZG-TF3-T-VB可以作為電源開關(guān)和電氣設(shè)備的關(guān)鍵組成部分，確保系統(tǒng)的高效運行和長期穩(wěn)定性。
綜上所述，4N60ZG-TF3-T-VB TO220F MOSFET以其高漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻，為中高壓電源管理和開關(guān)控制提供了可靠的解決方案，適用于多種工業(yè)和電力應(yīng)用場景。
