### 產品簡介

4N60-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO251 封裝，具有高壓承受能力和穩定的性能特征，適用于高壓應用場合。

### 詳細參數說明

- **型號**: 4N60-VB
- **封裝**: TO251
- **配置**: 單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2200mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術**: Plannar

### 應用領域和模塊示例

1. **電源開關和逆變器**:
  由于其高漏源電壓和適中的漏極電流能力，4N60-VB 可以用于開關電源和逆變器中。例如，在電源適配器、UPS（不間斷電源系統）和太陽能逆變器中，它能夠有效地控制和轉換電能，提供穩定的電壓和電流輸出。

2. **照明應用**:
  在高壓 LED 驅動和照明控制系統中，4N60-VB 可以作為開關元件，用于調光和功率控制。其高電壓承受能力和低功率損耗使其成為 LED 照明行業中的理想選擇。

3. **電動車充電樁**:
  在電動車充電樁中，需要處理高壓和高功率的電能轉換。4N60-VB 的特性使其適合用作充電樁控制電路中的關鍵部件，確保安全和高效的電池充電過程。

4. **工業高壓驅動**:
  在工業自動化和驅動系統中，如工業電機控制和機器人系統，這款 MOSFET 可以提供穩定的電力輸出和可靠的開關性能，確保設備在高負載條件下的長期穩定運行。

5. **高壓直流輸電**:
  在高壓直流輸電系統中，如電力電子變流器和智能電網應用中，4N60-VB 可以作為關鍵的開關元件，幫助管理和控制高壓電能的轉換和分配。

通過以上示例，可以看出 4N60-VB MOSFET 在多個領域和模塊中的廣泛應用，展示了其高壓承受能力和適用于各種高壓應用的特性。