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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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4N0401-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 4N0401-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

4N0401-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO263封裝。它具有40V的漏源電壓(VDS),20V的柵源電壓(VGS)(±),以及3V的閾值電壓(Vth)。采用Trench技術制造,具有極低的導通電阻和高達150A的電流承受能力,適用于要求高功率和高效能的應用。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO263
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:40V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **漏電流(ID)**:150A
- **技術**:Trench

### 應用領域和模塊

4N0401-VB 在以下領域和模塊中具有廣泛的應用:

1. **電源管理和轉換器**:
  - 用作高功率DC-DC轉換器的功率開關,支持高效率和緊湊型設計,例如服務器電源、工業電源等。

2. **電動工具和汽車電子**:
  - 在電動工具和汽車電子系統中,作為電機驅動器件,支持高速電機控制和電源管理,如電動工具、電動汽車充電器等。

3. **電動車輛**:
  - 在電動車輛的電池管理系統中,用作電池組的電流控制和保護開關,支持高功率快速充電和動力輸出。

4. **工業自動化**:
  - 用于工業自動化控制系統中的功率開關應用,如PLC、伺服驅動器和工廠自動化中的電源管理器件。

4N0401-VB 的低導通電阻和高電流承受能力使其非常適合需要高性能功率開關解決方案的應用,能夠提供可靠的電源管理和功率控制。

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