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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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4N03L04-VB TO262一款Single-N溝道TO262的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 4N03L04-VB TO262
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO262
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

4N03L04-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO262封裝。它具有30V的漏源電壓(VDS),20V的柵源電壓(VGS)(±),以及2V的閾值電壓(Vth)。采用Trench技術制造,具有低導通電阻和高電流承受能力,適用于高性能功率開關和電源管理應用。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO262
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:2V
- **導通電阻(RDS(ON))**:2.4mΩ @ VGS=10V
- **漏電流(ID)**:98A
- **技術**:Trench

### 應用領域和模塊

4N03L04-VB 在以下領域和模塊中具有廣泛的應用:

1. **電源管理和轉換器**:
  - 用作高效能DC-DC轉換器的功率開關器件,支持在較高頻率下工作以實現更高的能效。

2. **電動工具和家電**:
  - 在電動工具和家電中,作為電機驅動器件,支持高功率輸出和長時間運行,如電動工具、吸塵器和電動攪拌器等。

3. **電動車輛**:
  - 在電動車輛的動力電池管理系統中,用作電源開關和電流控制器,支持高效率和快速充電。

4. **工業自動化**:
  - 用于工業自動化設備中的功率開關應用,如PLC、伺服驅動器和工廠自動化控制系統中的電源管理器件。

4N03L04-VB 的低導通電阻和高電流承受能力使其在需要高性能功率開關解決方案的應用中非常有價值,能夠提供可靠的電源管理和功率控制。

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