--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-P+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
4957GM-VB 是一款采用 SOP8 封裝的雙通道 P+P 溝道 MOSFET,利用 Trench 技術設計,適用于需要負電源電壓控制和高效能源管理的應用場合。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙通道 P+P 溝道 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**:-30V
- **柵源電壓 (VGS)**:12(±V)
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS=4.5V:28mΩ
- @ VGS=10V:21mΩ
- **漏極電流 (ID)**:-8A
- **技術**:Trench

### 應用領域及模塊示例
4957GM-VB 在以下領域和模塊中展現出其廣泛的適用性:
1. **負電源電壓控制**:
- **電源管理**:適用于負電源系統的開關控制,如負電源逆變器和負電源電池管理單元,確保穩定的負電源輸出和高效的能源轉換。
2. **電源開關和逆變器**:
- **逆變器應用**:在各類逆變器中,包括太陽能逆變器和工業逆變器,用于電源開關和功率控制,提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。
3. **消費電子和通信設備**:
- **手機和平板電腦**:在便攜式電子設備中,用于電池管理和電源開關控制,支持長時間使用和高效能源管理。
- **通信設備**:在通信基站和網絡設備中,用于電源管理和功率控制,確保設備的穩定運行和高效的數據傳輸。
4957GM-VB 的設計優化和高性能特性使其成為負電源電壓控制和高效能源管理的理想選擇,適用于多種工業、消費電子和通信領域的應用需求。
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