--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
4924M-VB 是一款雙N+N-通道MOSFET,采用SOP8封裝。它具有20V的漏源電壓(VDS),12V的柵源電壓(VGS)(±),閾值電壓(Vth)在0.5V到1.5V之間可調節。該器件采用Trench技術制造,具有低導通電阻和中等電流承受能力,在VGS為10V時的導通電阻(RDS(ON))為19mΩ,在VGS為4.5V時為26mΩ。最大漏電流(ID)為7.1A,適用于中功率應用場合。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N+N-通道
- **漏源電壓(VDS)**:20V
- **柵源電壓(VGS)**:12V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:0.5~1.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:26mΩ @ VGS=4.5V, 19mΩ @ VGS=10V
- **漏電流(ID)**:7.1A
- **技術**:Trench

### 應用領域和模塊
4924M-VB MOSFET適用于多種應用領域和模塊,具體包括但不限于:
1. **電源管理**:
- 在低至中等功率的DC-DC轉換器和穩壓器中,用于功率開關和電壓調節,例如便攜式電子設備和工業控制系統中的電源管理單元。
2. **電池管理**:
- 作為電池充放電控制器的關鍵組件,支持便攜設備、電動工具和電動車輛的電池管理系統,提升電池的使用效率和壽命。
3. **工業自動化**:
- 在工業自動化設備和機器人控制系統中,作為驅動器和開關元件,確保設備的精確控制和穩定運行。
4. **汽車電子**:
- 在汽車電子系統中,用于驅動電機控制、電池管理和輔助電子設備,提升車輛的能效和系統整體性能。
4924M-VB 的設計特性使其在需要高效能和可靠性的中功率應用中具有廣泛的應用前景,能夠滿足不同領域對于電流承載能力和導通電阻的需求。
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