### 產品簡介

**型號：47NM60ND-VB**

47NM60ND-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用TO247封裝。它具有高耐壓能力和高電流承載能力，適用于要求高功率和高可靠性的電子應用。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO247
- **配置**：Single-N-Channel
- **漏源電壓（VDS）**：650V
- **柵源電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：75mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：47A
- **技術**：SJ_Multi-EPI（多重EPI結構）

### 應用領域和模塊

47NM60ND-VB 單N溝道MOSFET 在以下領域和模塊中具有廣泛的應用：

1. **工業電源**：適用于工業電源系統中的高壓開關和穩定器，如工業自動化設備、電力電子設備和高功率LED照明系統。

2. **電動車輛**：用作電動車輛的電池管理和電機驅動器，支持高效能量轉換和電動車輛的高速運行。

3. **電力傳輸和分配**：在電力傳輸系統和電力分配裝置中，作為關鍵的高壓開關元件，確保電力傳輸的穩定性和安全性。

4. **電池儲能系統**：用于電池儲能系統的電池管理和充放電控制，支持可再生能源系統和儲能設備的穩定運行。

5. **醫療設備**：在醫療成像設備、激光器和高頻電源中，提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出，確保設備的可靠性和精確性。

47NM60ND-VB 基于其高耐壓能力和低導通電阻特性，適用于對功率密度和效率要求高的復雜電子系統和工業應用，為用戶提供了可靠和高性能的解決方案。