### 一、產品簡介
47N60S5-VB是VBsemi公司推出的高壓N溝道MOSFET，采用TO247封裝。它具有650V的漏源電壓（VDS），適用于要求高電壓和高電流承載能力的電源開關和功率管理應用。
### 二、詳細參數說明
- **封裝形式**：TO247
- **配置**：單N溝道（Single-N-Channel）
- **漏源電壓（VDS）**：650V
- **柵源電壓（VGS）**：±30V
- **開啟電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- VGS=10V時：75mΩ
- **漏極電流（ID）**：47A
- **技術類型**：SJ_Multi-EPI
### 三、應用領域及模塊舉例
47N60S5-VB MOSFET適用于以下領域和模塊：
1. **電源開關**：
- 在高壓電源開關電路中，如工業電源系統、服務器電源單元和通信基站，47N60S5-VB能夠提供可靠的開關性能和低導通電阻，確保系統的高效能和穩定性。
2. **電動汽車充電器**：
- 在電動汽車和混合動力車輛的充電設備中，47N60S5-VB用于充電控制和電池管理系統（BMS），支持高電壓和高電流的充電過程，保證安全和高效能。
3. **工業電力系統**：
- 在工業自動化設備、電力分配和轉換設備中，47N60S5-VB可以用于電力開關和功率逆變器，滿足高功率和高可靠性的電力管理需求。
4. **太陽能逆變器**：
- 在太陽能發電系統中，47N60S5-VB可用作逆變器的關鍵部件，轉換太陽能板產生的直流電為交流電，提供高效的能源轉換和供電質量。
5. **電力電子**：
- 在各種電力電子應用中，如電力因數校正裝置（PFC）、電源適配器和UPS系統，47N60S5-VB能夠提供穩定的功率轉換和高效的能源管理。
通過采用47N60S5-VB MOSFET，設計工程師能夠實現高壓、高效能的電子電路設計，應對復雜的功率管理和控制需求。
