### 產品簡介

**型號：4521GEH-VB**

4521GEH-VB 是一款高功率的共柵N+P-Channel MOSFET，采用TO252-4L封裝。它具有優秀的導通特性和高電流處理能力，適用于要求高性能的電子和電源應用。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO252-4L
- **配置**：Common Drain-N+P-Channel
- **漏源電壓（VDS）**：±40V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.8V（N-Channel），-1.7V（P-Channel）
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
 - 14mΩ（N-Channel）@VGS=4.5V
 - 14mΩ（P-Channel）@VGS=4.5V
 - 16mΩ（N-Channel）@VGS=10V
 - 16mΩ（P-Channel）@VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：±50A
- **技術**：溝槽（Trench）

### 應用領域和模塊

4521GEH-VB 共柵N+P-Channel MOSFET 可以廣泛應用于以下領域和模塊：

1. **電源逆變器**：在高功率電源逆變器中，4521GEH-VB 可以作為關鍵的功率開關裝置，支持高效率和穩定的能源轉換，適用于太陽能逆變器、UPS系統和工業電源設備。

2. **電動車充電器**：在電動車充電系統中，4521GEH-VB 能夠處理高電流和高壓情況，確保快速充電和安全運行，適用于電動汽車和混合動力車輛。

3. **工業電機驅動**：用于各種工業電機驅動系統，如電動工具、工業機械和自動化設備，支持高效能的電機控制和高功率輸出。

4. **電池管理系統**：在電池管理和保護電路中，4521GEH-VB 可以作為負載開關和保護裝置，防止電池過放和過充，保障電池壽命和安全性。

5. **電源分配單元**：用于工業控制系統和通信基站中的電源分配和管理，提供穩定的電壓輸出和高效的功率轉換。

通過其強大的電流處理能力和先進的溝槽技術，4521GEH-VB 在高功率和高可靠性應用中表現出色，為復雜電子系統和工業設備提供了可靠的解決方案。