### 一、4435GH-VB TO252 產品簡介
4435GH-VB 是一款單 P 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝。具有 -30V 的漏極-源極電壓（VDS），并具有 ±20V 的柵極-源極電壓（VGS）耐受能力。該器件采用 Trench 技術，具有較低的導通電阻和中等電流承載能力，適用于需要中等功率和中等電壓的應用場合。
### 二、4435GH-VB TO252 詳細參數說明
- **封裝類型**：TO252
- **管腳配置**：單 P 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：-30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：-1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 25mΩ@VGS=4.5V
- 18mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：-40A
- **技術**：Trench
### 三、4435GH-VB TO252 適用領域和模塊示例
1. **電源管理模塊**
- **領域**：電源管理
- **應用**：用于設計電源管理模塊，如開關電源和線性穩壓器，以提供穩定的電壓和電流給各種電子設備。
2. **電池保護模塊**
- **領域**：便攜式電子設備
- **應用**：適用于設計電池保護模塊，保護電池免受過充和過放的損害，提高電池的使用壽命。
3. **負載開關**
- **領域**：消費電子
- **應用**：適用于各種消費電子產品中的負載開關，例如電視、音響設備和家用電器，提供高效的功率傳輸和低功耗性能。
