--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、4418GJ-VB 產品簡介
4418GJ-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO251 封裝。該產品具有 30V 的漏極-源極電壓(VDS)、20V 的柵極-源極電壓(VGS)、1.7V 的閾值電壓(Vth)、以及 50A 的漏極電流(ID)。4418GJ-VB 采用溝槽技術,具有高性能和可靠性。
### 二、4418GJ-VB 詳細參數說明
| 參數 | 數值 |
|--------------------|--------------------------|
| 封裝 | TO251 |
| 配置 | 單 N 溝道 |
| 漏極-源極電壓 (VDS) | 30V |
| 柵極-源極電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS=4.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 7mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 50A |
| 技術 | 溝槽技術 (Trench) |

### 三、4418GJ-VB 應用領域和模塊示例
1. **電源管理模塊**:
4418GJ-VB 適用于高性能電源管理模塊,如服務器電源和工業電源,具有較低的導通電阻和高漏極電流,有助于提高能源效率。
2. **電動汽車**:
在電動汽車的電源管理系統中,4418GJ-VB 可用于驅動控制模塊,幫助實現高效的電能轉換和驅動性能。
3. **工業自動化**:
4418GJ-VB 適用于工業自動化中的高壓控制和開關模塊,提供高性能和可靠性,滿足復雜工業環境的需求。
4. **LED照明**:
由于 4418GJ-VB 具有較低的導通電阻和高漏極電流,適用于高性能 LED 驅動器,提供高效能量管理和長壽命。
5. **通信設備**:
4418GJ-VB 可用于通信設備中的高性能開關和控制模塊,提供穩定可靠的電源控制和高效能耗。
綜上所述,4418GJ-VB MOSFET 具有廣泛的應用前景,在多個領域中都能發揮重要作用,特別適用于需要高性能開關器件的應用場合。
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