### 一、4411M-VB 產品簡介

4411M-VB 是一款單 P 溝道 MOSFET，采用 SOP8 封裝。該產品具有 -30V 的漏極-源極電壓（VDS）、20V 的柵極-源極電壓（VGS）、-1.7V 的閾值電壓（Vth）、以及 -9A 的漏極電流（ID）。4411M-VB 采用溝槽技術，具有高性能和可靠性。

### 二、4411M-VB 詳細參數說明

| 參數               | 數值                       |
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| 封裝               | SOP8                     |
| 配置               | 單 P 溝道                 |
| 漏極-源極電壓 (VDS) | -30V                     |
| 柵極-源極電壓 (VGS) | ±20V                     |
| 閾值電壓 (Vth)     | -1.7V                    |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 24mΩ @ VGS=4.5V         |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 18mΩ @ VGS=10V          |
| 漏極電流 (ID)      | -9A                      |
| 技術               | 溝槽技術 (Trench)        |

### 三、4411M-VB 應用領域和模塊示例

1. **電源管理模塊**：
  由于 4411M-VB 具有負漏極-源極電壓（-30V）和較低的導通電阻（24mΩ），適用于高效能耗和高可靠性的負極電源管理模塊，如負極電池管理和負極驅動控制。

2. **電動汽車**：
  在電動汽車的電源管理系統中，4411M-VB 可用于負極電池管理和驅動控制，幫助實現高效的負極能量轉換和驅動性能。

3. **工業控制系統**：
  4411M-VB 適用于工業控制系統中的負極開關和控制模塊，提供精確的負極控制和高效運行。

4. **功率因數校正器**：
  4411M-VB 可用于功率因數校正器中的負極開關和控制器件，有助于提高能量利用效率和減少負載損耗。

綜上所述，4411M-VB MOSFET 具有廣泛的應用前景，特別適用于需要負極高性能開關器件的應用場合。