### 產品簡介

**型號：** 43NM60N-VB  
**封裝：** TO247  
**配置：** 單N溝道MOSFET  
**主要參數：**
- 漏源電壓 (VDS)：650V
- 柵源電壓 (VGS)：±30V
- 閾值電壓 (Vth)：3.5V
- 導通電阻 (RDS(ON))：75mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID)：47A
- 技術：SJ_Multi-EPI（多重外延結構）

### 詳細參數說明

| 參數名稱            | 參數值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS)       | 650V               |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±30V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | 3.5V               |
| 導通電阻 (RDS(ON))   | 75mΩ @ VGS=10V     |
| 漏極電流 (ID)        | 47A                |
| 功率耗散 (Ptot)      | 320W               |
| 輸入電容 (Ciss)      | 5400pF             |
| 輸出電容 (Coss)      | 720pF              |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 190pF              |
| 開啟時間 (ton)       | 37ns               |
| 關斷時間 (toff)      | 111ns              |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 175°C      |
| 封裝類型            | TO247              |

### 應用領域和模塊舉例

1. **工業電源**：43NM60N-VB適用于工業電源系統，如UPS、電焊機和工業電動車輛等，確保系統的高效率和可靠性。

2. **電動汽車**：在電動汽車的電機驅動系統中，這款MOSFET可以用于電動汽車控制器、充電樁和電池管理系統等模塊，提供高效的電能轉換和安全性。

3. **電源開關**：在高壓電源開關模塊中，這款MOSFET可用于高效率的開關電源和逆變器，提供穩定的電源輸出。

4. **醫療設備**：適用于醫療設備，如X射線機、醫用電源和激光設備等的電源管理模塊，提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。

5. **通信設備**：在通信設備中，這款MOSFET可以應用于功率放大器、射頻開關和功率控制模塊等，確保設備的穩定性和高效性。

通過這些應用領域和模塊的具體例子，可以看出43NM60N-VB TO247 MOSFET因其高功率、高效率的特性在多個領域中得到了廣泛應用。