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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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40T10GR-VB一款Single-N溝道TO262的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 40T10GR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO262
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 40T10GR-VB TO262 MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

40T10GR-VB 是一款高性能的單 N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管,采用 TO262 封裝,適用于各種電子應(yīng)用中的高效能管理。具有優(yōu)秀的熱性能和可靠性,適用于各種嚴(yán)苛的環(huán)境。具有 100V 的漏極-源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵極-源極電壓(VGS),在不同工作條件下提供穩(wěn)健的性能。該器件具有低的柵極閾值電壓(Vth)為 2.5V,確保在低電壓電路中易于使用。40T10GR-VB 采用 Trench 技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)能效并減少熱量產(chǎn)生。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO262
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:100V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±20V
- **Vth(柵極閾值電壓)**:2.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:10mΩ @ VGS = 4.5V,9mΩ @ VGS = 10V
- **ID(持續(xù)漏極電流)**:100A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用示例

1. **電源管理**: 40T10GR-VB 可以廣泛應(yīng)用于各種功率管理電路中,如開關(guān)電源和穩(wěn)壓器,提高電路效率并減小尺寸。

2. **電池保護(hù)**: 在移動(dòng)設(shè)備和電動(dòng)工具中,可用于電池保護(hù)電路中,確保電池的安全和穩(wěn)定性。

3. **電機(jī)控制**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,可用于各種類型的電機(jī)控制,提高工業(yè)設(shè)備的效率和可靠性。

4. **LED 驅(qū)動(dòng)**: 由于其高電流和低導(dǎo)通電阻特性,適用于 LED 燈驅(qū)動(dòng)電路中,實(shí)現(xiàn)高效能的 LED 燈控制。

5. **電動(dòng)汽車充電器**: 由于其高耐壓和電流特性,適用于電動(dòng)汽車充電器中的功率開關(guān),實(shí)現(xiàn)高效能的電能轉(zhuǎn)換。

通過在這些領(lǐng)域中使用 40T10GR-VB MOSFET,設(shè)計(jì)者可以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計(jì),滿足不同應(yīng)用的需求。

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