### 一、3STS8235-VB 產品簡介

3STS8235-VB是一款雙N+N溝道MOSFET，采用SOT23-6封裝。該產品具有20V的漏源極電壓（VDS），20V的柵源極電壓（VGS），0.5~1.5V的閾值電壓（Vth），以及6A的漏極電流（ID）。3STS8235-VB采用溝槽技術，提供高性能和可靠性。

### 二、3STS8235-VB 詳細參數說明

| 參數               | 數值                       |
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| 封裝               | SOT23-6                  |
| 配置               | 雙N+N溝道                |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 20V                      |
| 柵源極電壓 (VGS)   | ±20V                     |
| 閾值電壓 (Vth)     | 0.5~1.5V                 |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 28mΩ @ VGS=2.5V         |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 24mΩ @ VGS=4.5V         |
| 漏極電流 (ID)      | 6A                       |
| 技術               | 溝槽技術 (Trench)        |

### 三、3STS8235-VB 應用領域和模塊示例

1. **移動設備**：
  由于3STS8235-VB具有小封裝和低功耗特性，適用于移動設備中的電源管理和功率放大器。

2. **通信設備**：
  在通信設備中，3STS8235-VB可用于射頻功率放大器和信號調節器件，有助于提高通信質量和穩定性。

3. **電源管理模塊**：
  3STS8235-VB適用于各種類型的電源管理模塊，如DC-DC轉換器和電池管理系統，提供高效能耗和高性能。

4. **工業自動化**：
  在工業控制系統中，3STS8235-VB可用于開關和控制器件，提供精確的控制和高效運行。

綜上所述，3STS8235-VB MOSFET具有廣泛的應用前景，在多個領域中都能發揮重要作用，特別適用于需要高性能開關器件的應用。