### 產品簡介

3NM60N-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝，由VBsemi公司生產。具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、±30V的柵極-源極電壓（VGS）、3.5V的柵極閾值電壓（Vth）、320mΩ的導通電阻（RDS(ON)）（在VGS=10V時）、20A的漏極電流（ID），采用Plannar技術。

### 詳細參數說明

- **型號**：3NM60N-VB
- **封裝類型**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：320mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：20A
- **技術**：Plannar

### 應用領域和模塊

3NM60N-VB 可應用于以下領域和模塊：

1. **電源供應器**：適用于開關電源和逆變器等高壓、高功率的電源供應器，可提供高效率的能量轉換和可靠的功率控制。

2. **電動工具**：可用于電動工具中的電源開關和控制模塊，提供高功率輸出和穩定性能。

3. **電動汽車**：適用于電動汽車的驅動系統，可實現高效能量轉換和可靠的電動機控制。

4. **太陽能逆變器**：可用作太陽能逆變器中的開關器件，實現太陽能能量的有效轉換和管理。

5. **工業自動化**：可應用于工業自動化系統中的電源開關和控制模塊，確保系統穩定運行和高效能耗。

綜上所述，3NM60N-VB 在需要高壓、高功率處理能力的應用中具有廣泛的應用前景，能夠提供可靠的功率管理和控制功能。