### 一、3N90Z-VB 產品簡介

3N90Z-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝。該產品具有950V的漏源極電壓（VDS），30V的柵源極電壓（VGS），3.5V的閾值電壓（Vth），以及6A的漏極電流（ID）。3N90Z-VB采用平面技術，提供可靠的性能和穩定性。

### 二、3N90Z-VB 詳細參數說明

- **封裝：** TO220F
- **配置：** 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)：** 950V
- **柵源極電壓 (VGS)：** ±30V
- **閾值電壓 (Vth)：** 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))：** 2400mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)：** 6A
- **技術：** 平面技術 (Plannar)

### 三、3N90Z-VB 應用領域和模塊示例

1. **工業電力系統：** 3N90Z-VB適用于工業電力系統中的開關和控制器件，可用于高壓電力傳輸和配電系統中的開關應用。

2. **電動汽車充電樁：** 由于其高漏源極電壓和穩定性能，3N90Z-VB適用于電動汽車充電樁中的開關和控制器件。

3. **工業控制系統：** 在工業控制和自動化領域，3N90Z-VB可用于工業控制系統中的精確控制和高效運行。

4. **UPS系統：** 3N90Z-VB的高漏源極電壓和穩定性能使其成為不間斷電源（UPS）系統中的理想選擇，可用于電池到交流電源的轉換。

綜上所述，3N90Z-VB MOSFET在多個領域中具有廣泛的應用前景，特別適用于需要高性能開關器件的應用。其穩定性和可靠性使其成為各種高性能電子設備的理想選擇。