### 產品簡介
3N80L-TM3-T-VB 是一款由VBsemi公司生產的單N溝道MOSFET，采用TO251封裝。該器件具有800V的漏源電壓（VDS）和±30V的柵源電壓（VGS），適用于要求高電壓的功率管理和開關應用。3N80L-TM3-T-VB 在高壓環境下表現出色，是許多應用的理想選擇。
### 詳細參數說明
- **型號**：3N80L-TM3-T-VB
- **封裝類型**：TO251
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：800V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：2600mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：2A
- **技術**：SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊
3N80L-TM3-T-VB 適用于多種領域和模塊：
1. **電源開關**：
由于其高漏源電壓和適度的漏極電流，3N80L-TM3-T-VB 可以用作各種電源開關應用的開關器件，包括開關電源、逆變器和穩壓器。它能夠在高壓環境下提供可靠的開關功能。
2. **照明控制**：
在照明應用中，3N80L-TM3-T-VB 可以用于控制LED驅動器和其他照明設備的功率。其高漏源電壓和適度的導通電阻使其成為這些應用的理想選擇。
3. **電動工具**：
該器件還適用于電動工具和電動汽車等高功率應用。其能夠處理適度的電流和高壓，提供可靠的功率傳輸和控制。
4. **電力管理**：
在需要管理和控制電力的應用中，如智能電網和工業電力系統，3N80L-TM3-T-VB 可以用于開關和調節電力流動，確保系統的穩定性和效率。
5. **太陽能逆變器**：
由于太陽能逆變器需要處理高壓和適度電流，3N80L-TM3-T-VB 可以用作逆變器中的開關器件，實現太陽能能量的有效轉換。
綜上所述，3N80L-TM3-T-VB 在各種需要處理高壓和適度電流的應用中都具有廣泛的應用前景，能夠提供可靠的功率管理和控制功能。
