### 產(chǎn)品簡介

**型號：** 3N80L-TF1-T-VB  
**封裝：** TO220F  
**配置：** 單一N溝道MOSFET  
**主要參數(shù)：**
- 漏源電壓 (VDS)：850V
- 柵源電壓 (VGS)：±30V
- 閾值電壓 (Vth)：3.5V
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：2200mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID)：5A
- 技術(shù)：Plannar（平面型）

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱            | 參數(shù)值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS)       | 850V               |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±30V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | 3.5V               |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))   | 2200mΩ @ VGS=10V   |
| 漏極電流 (ID)        | 5A                 |
| 功率耗散 (Ptot)      | 75W                |
| 輸入電容 (Ciss)      | 1100pF             |
| 輸出電容 (Coss)      | 300pF              |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 65pF               |
| 開啟時間 (ton)       | 28ns               |
| 關(guān)斷時間 (toff)      | 70ns               |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 175°C      |
| 封裝類型            | TO220F             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**：3N80L-TF1-T-VB適用于高壓電源管理應(yīng)用，如電源適配器、UPS系統(tǒng)和太陽能逆變器等。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其在高效率、高功率密度的電源設(shè)計中表現(xiàn)出色。

2. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，這款MOSFET可用于工業(yè)電機(jī)控制器、變頻器和工業(yè)電源等模塊，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源管理。

3. **電動汽車**：在電動汽車的電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中，這款MOSFET可以用于電動汽車控制器、充電樁和電池管理系統(tǒng)等模塊，確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和安全性。

4. **醫(yī)療設(shè)備**：在醫(yī)療設(shè)備中，這款MOSFET可用于高壓電源模塊、醫(yī)療圖像設(shè)備和醫(yī)療監(jiān)測設(shè)備等，具有高可靠性和耐高壓特性。

5. **電力傳輸**：在電力傳輸領(lǐng)域，這款MOSFET可用于高壓直流輸電系統(tǒng)和變電站設(shè)備，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓控制。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的具體例子，可以看出3N80L-TF1-T-VB TO220F MOSFET因其優(yōu)秀的電氣性能和可靠性在多個高壓應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。