### 產品簡介

**型號：** 3N65L-TF1-T-VB  
**封裝：** TO220F  
**配置：** 單一N溝道MOSFET  
**主要參數：**
- 漏源電壓 (VDS)：650V
- 柵源電壓 (VGS)：±30V
- 閾值電壓 (Vth)：3.5V
- 導通電阻 (RDS(ON))：2560mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID)：4A
- 技術：Plannar（平面型）

### 詳細參數說明

| 參數名稱            | 參數值               |
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| 漏源電壓 (VDS)       | 650V               |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±30V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | 3.5V               |
| 導通電阻 (RDS(ON))   | 2560mΩ @ VGS=10V   |
| 漏極電流 (ID)        | 4A                 |
| 功率耗散 (Ptot)      | 40W                |
| 輸入電容 (Ciss)      | 670pF              |
| 輸出電容 (Coss)      | 70pF               |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 18pF               |
| 開啟時間 (ton)       | 20ns               |
| 關斷時間 (toff)      | 100ns              |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 175°C      |
| 封裝類型            | TO220F             |

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源管理**：3N65L-TF1-T-VB適用于各種電源管理應用，特別是需要高電壓和低功率的應用，如電源適配器、LED照明驅動器和太陽能逆變器等。

2. **工業控制**：在工業控制系統中，這款MOSFET可用于電機驅動器、變頻器和工業電源等模塊，提供高效的電能轉換和穩定的電源管理。

3. **電動汽車**：在電動汽車的電動機驅動系統中，這款MOSFET可以用于電動汽車控制器、充電樁和電池管理系統等模塊，確保系統的高效運行和安全性。

4. **醫療設備**：在醫療設備中，這款MOSFET可用于高壓電源模塊、醫療圖像設備和醫療監測設備等，具有高可靠性和耐高壓特性。

5. **航空航天**：在航空航天領域，這款MOSFET可以應用于飛機電源系統、衛星通信設備和航天器電子設備等，具有耐高壓和耐高溫的特性。

通過這些應用領域和模塊的具體例子，可以看出3N65L-TF1-T-VB TO220F MOSFET因其優秀的電氣性能和可靠性在多個高壓應用中得到了廣泛應用。