### 一、3N50L-TF3-T-VB TO220F 產品簡介

3N50L-TF3-T-VB 是一款由 VBsemi 生產的高性能單 N 溝道 MOSFET，采用 TO220F 封裝。其特點是具有較高的漏極電壓和較低的導通電阻，能夠在 650V 的漏源電壓下工作，并具有 ±30V 的柵源電壓耐受能力。該器件采用 Plannar 技術，適用于各種需要高電壓和低功率的應用場景。

### 二、3N50L-TF3-T-VB TO220F 詳細參數說明

| 參數 | 說明 |
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| 封裝類型 | TO220F |
| 配置 | 單 N 溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 650V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 2560mΩ@VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 4A |
| 技術 | Plannar |

### 三、3N50L-TF3-T-VB 應用領域和模塊示例

1. **電源開關模塊**
  - **領域**：工業電子
  - **應用**：在工業電子設備中，該 MOSFET 可用于設計高壓開關電源模塊，提供可靠的電源開關功能，適用于各種工業控制系統。

2. **太陽能逆變器**
  - **領域**：可再生能源
  - **應用**：在太陽能逆變器中，3N50L-TF3-T-VB 可以用于設計高效的功率逆變電路，將太陽能板產生的直流電轉換為交流電，為家庭和商業用途提供電能。

3. **電動汽車充電樁**
  - **領域**：電動汽車基礎設施
  - **應用**：該器件可以用于電動汽車充電樁的設計中，幫助實現高效快速的充電，提升充電樁的性能和可靠性。

4. **高壓電源模塊**
  - **領域**：醫療設備
  - **應用**：在醫療設備中，如醫用成像設備和激光治療設備中，該 MOSFET 可以用于設計高壓電源模塊，確保設備穩定運行。