### 一、3N10L26-VB 產品簡介
3N10L26-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO263封裝。該產品具有100V的漏源極電壓（VDS），20V的柵源極電壓（VGS），1.8V的閾值電壓（Vth），以及70A的漏極電流（ID）。3N10L26-VB采用先進的溝槽技術，提供優異的性能和可靠性。
### 二、3N10L26-VB 詳細參數說明
| 參數 | 數值 |
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| 封裝 | TO263 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源極電壓 (VDS) | 100V |
| 柵源極電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.8V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 20mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 70A |
| 技術 | 溝槽技術 (Trench) |
### 三、3N10L26-VB 應用領域和模塊示例
1. **電動車輛**：
3N10L26-VB適用于電動車輛的電源管理和驅動系統。其高漏源極電壓和漏極電流能力使其成為電動車輛中的關鍵元件，用于實現高效的電動車輛性能和節能。
2. **電源供應模塊**：
在需要高效電源供應的應用中，如工業電源、服務器電源和通信設備，3N10L26-VB可用于提高轉換效率和降低熱耗。其低導通電阻和高電流承載能力有助于實現穩定的電源輸出。
3. **工業控制系統**：
工業控制系統需要可靠的開關器件來實現精確的控制和響應。3N10L26-VB的高性能特性使其成為工業控制系統中的理想選擇，包括PLC（可編程邏輯控制器）和工業自動化設備。
4. **LED照明**：
在LED照明應用中，需要高效的電源管理器件來實現燈光的調光和控制。3N10L26-VB的高電流承載能力和低導通電阻有助于提高LED照明系統的效率和穩定性。
通過以上應用示例，可以看出3N10L26-VB MOSFET在多個領域中具有廣泛的應用前景。其高性能特性和先進的溝槽技術，使其成為各種高性能電子設備的理想選擇。
