### 一、3N10L12-VB TO220 產品簡介

3N10L12-VB 是一款由 VBsemi 生產的高性能單 N 溝道 MOSFET，采用 TO220 封裝。其特點是具有較低的導通電阻和高電流能力，能夠在 100V 的漏源電壓下工作，并具有 ±20V 的柵源電壓耐受能力。該器件適用于各種需要高效電源管理和高可靠性的應用場景。

### 二、3N10L12-VB TO220 詳細參數說明

| 參數 | 說明 |
|------|------|
| 封裝類型 | TO220 |
| 配置 | 單 N 溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 100V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 2.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 20mΩ@VGS=4.5V，9mΩ@VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 100A |
| 技術 | Trench |

### 三、3N10L12-VB 應用領域和模塊示例

1. **電源管理模塊**
  - **領域**：工業控制
  - **應用**：在工業控制系統中，3N10L12-VB 可以用于設計高效的電源管理模塊，提供穩定可靠的電源支持，適用于各種工業設備。

2. **電動汽車充電樁**
  - **領域**：電動汽車基礎設施
  - **應用**：該 MOSFET 可以用于電動汽車充電樁的設計中，幫助實現高效快速的充電，提升充電樁的性能和可靠性。

3. **UPS 不間斷電源**
  - **領域**：數據中心
  - **應用**：在數據中心的 UPS 不間斷電源系統中，該器件可以用于設計高效的電源轉換器，確保數據中心設備持續穩定運行。

4. **風力發電控制器**
  - **領域**：可再生能源
  - **應用**：在風力發電控制器中，3N10L12-VB 可以用于設計高性能的功率電子模塊，提高風力發電系統的能量轉換效率。