--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**3N0407-VB**是一款由VBsemi生產的單N溝道功率MOSFET,采用TO263封裝。它適用于高功率開關和功率逆變電路中,具有低漏源電壓(VDS)和高電流處理能力。該MOSFET具有40V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),并采用先進的溝槽技術制造。
### 二、詳細參數說明
- **型號**:3N0407-VB
- **封裝**:TO263
- **類型**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:40V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:2.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:6mΩ @ VGS=4.5V;5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:100A
- **技術**:溝槽技術(Trench)

### 三、適用領域和模塊
**3N0407-VB**適用于以下領域和模塊:
1. **電源供應**:
- **電源逆變器**:由于其高電流處理能力,3N0407-VB可用于電源逆變器中的功率開關模塊,提供高效的功率轉換。
- **直流-直流轉換器**:在直流-直流轉換器中,3N0407-VB可用于電源開關模塊,提供穩定的電源輸出。
2. **電動工具**:
- **電動車輛**:在電動車輛中,3N0407-VB可用于電動馬達控制模塊,提供高效的電動馬達控制和功率轉換。
3. **工業自動化**:
- **工業控制系統**:在工業控制系統中,3N0407-VB可用于功率開關和電源管理模塊,提供可靠的功率開關和電源管理功能。
通過以上應用實例,可以看出3N0407-VB在電源供應和工業自動化領域中具有廣泛的應用潛力,能夠滿足各種不同環境下的需求。
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