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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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3N0403-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 3N0403-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**型號:3N0403-VB**

3N0403-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,采用Trench技術制造。該器件封裝在TO-263封裝中,具有40V的漏源電壓和150A的漏極電流,適用于要求高性能和高電流的電源管理和開關控制應用。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO-263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2.5mΩ@VGS=4.5V
 - 2mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術類型**: Trench

### 應用領域和模塊示例

**電源管理模塊**: 3N0403-VB 適用于要求高電流和高性能的電源管理模塊,如服務器電源和電動車電池管理系統。

**電機驅動器**: 在需要高電流輸出的電機驅動器中,3N0403-VB 可以用作電機控制器中的開關元件,提供穩定的電流輸出。

**電動汽車充電器**: 在電動汽車充電器中,3N0403-VB 可以用作充電器的開關元件,控制充電器的輸出電壓和電流,實現快速充電。

以上是一些3N0403-VB 在不同領域和模塊中的應用示例,顯示了其高電流、高性能和可靠性的特點。

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