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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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39IM2611G-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 39IM2611G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介

**產品型號**: 39IM2611G-VB

**封裝類型**: SOT23-6

**產品概述**: 39IM2611G-VB是一款雙N溝道和雙P溝道MOSFET,采用Trench技術。具有低導通電阻和高可靠性,適用于需要雙通道電源管理和轉換的電子系統。

### 二、詳細參數說明

- **封裝類型**: SOT23-6
- **配置**: 雙N溝道和雙P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 28mΩ @ VGS=2.5V
 - 24mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 6A
- **技術類型**: Trench

### 三、應用領域和模塊舉例

**領域:**
1. **電源管理**: 39IM2611G-VB適用于需要雙通道電源管理的應用,如筆記本電腦和移動設備。
2. **電動汽車**: 在電動汽車的電池管理和電機驅動系統中使用,可以實現高效能轉換。
3. **醫療設備**: 由于其雙通道設計,適用于需要高可靠性的醫療設備,如醫療成像和激光設備。

**模塊:**
1. **電源轉換模塊**: 在需要雙通道電源轉換的模塊中使用,可以提高系統的功率密度和效率。
2. **驅動器**: 在需要雙通道驅動的系統中使用,如步進電機驅動器和直流電機驅動器。
3. **控制器**: 適用于雙通道控制器,如LED照明控制器和電機控制器。

綜上所述,39IM2611G-VB MOSFET憑借其雙通道設計和Trench技術,能夠滿足不同雙通道電子系統的需求,提高系統的效率和可靠性。

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