### 一、產品簡介
**36HM8810E-VB**是一款由VBsemi生產的雙N+N溝道功率MOSFET，采用SOT23-6封裝。它適用于各種需要高性能功率開關和功率逆變的電路中，具有優異的導通電阻和高電流處理能力。該MOSFET具有20V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），并采用先進的溝槽技術制造。
### 二、詳細參數說明
- **型號**：36HM8810E-VB
- **封裝**：SOT23-6
- **類型**：雙N+N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：20V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：0.5~1.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：28mΩ @ VGS=2.5V；24mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流（ID）**：6A
- **技術**：溝槽技術（Trench）
### 三、適用領域和模塊
**36HM8810E-VB**適用于以下領域和模塊：
1. **移動設備**：
- **智能手機**：由于其小封裝和低功耗特性，36HM8810E-VB可用于智能手機中的電源管理模塊，提供高效的電源管理和控制。
- **平板電腦**：在平板電腦中，36HM8810E-VB可用于電源轉換模塊，提供穩定的電源輸出。
2. **便攜式電子產品**：
- **便攜式音頻設備**：在便攜式音頻設備中，36HM8810E-VB可用于功率放大器模塊，提供高質量的音頻輸出。
- **便攜式醫療設備**：在便攜式醫療設備中，36HM8810E-VB可用于電源管理模塊，提供穩定的電源輸出。
3. **工業控制**：
- **工業傳感器模塊**：在工業傳感器模塊中，36HM8810E-VB可用于電源管理和信號放大，提供穩定的電源和信號處理能力。
通過這些應用實例，36HM8810E-VB展示了其在移動設備和便攜式電子產品領域中的廣泛應用潛力，能夠滿足各種不同環境下的需求。
