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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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35P03-VB一款Single-P溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 35P03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-P

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介

**產品型號**: 35P03-VB

**封裝類型**: DFN8(5X6)

**產品概述**: 35P03-VB是一款單P溝道MOSFET,采用Trench技術,具有負向漏源電壓(-30V)特性。該器件具有低導通電阻和高可靠性,適用于各種負向電壓功率控制和轉換應用。

### 二、詳細參數說明

- **封裝類型**: DFN8(5X6)
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 12mΩ @ VGS=4.5V
 - 7.8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -60A
- **技術類型**: Trench

### 三、應用領域和模塊舉例

**領域:**
1. **電源管理**: 35P03-VB適用于負向電壓電源管理應用,如負向電源開關和逆變器。
2. **汽車電子**: 在汽車電子系統中,適用于負向電源管理和控制。
3. **工業控制**: 由于其負向漏源電壓特性,該器件適用于負向電壓工業控制系統。

**模塊:**
1. **負向電源管理**: 在負向電源管理模塊中,35P03-VB可作為功率開關元件,實現高效的負向電能轉換和穩定的輸出。
2. **汽車電子控制器**: 在汽車電子控制器中,可用于負向電源管理和控制,提高系統的效率和可靠性。
3. **逆變器**: 在負向電壓逆變器中,提供高功率輸出,適用于各種負向電壓轉換系統,提高系統的轉換效率。

綜上所述,35P03-VB MOSFET憑借其負向漏源電壓、低導通電阻和高可靠性,能夠滿足不同負向電壓電子系統的需求,提高系統的效率和可靠性。

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