### 一、產品簡介
**35N60CFD-VB**是一款由VBsemi生產的單N溝道MOSFET，采用TO247封裝。該器件具有高漏極電壓和低導通電阻的特點，適用于高壓、高功率的應用場景。35N60CFD-VB在電源管理、電機驅動和工業控制等領域具有廣泛的應用前景。
### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**：TO247
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：600V
- **柵源電壓（VGS）**：±30V
- **門限電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：65mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**：47A
- **技術類型**：SJ_Multi-EPI（多重外延結構）
### 三、應用領域和模塊示例
**35N60CFD-VB**適用于以下領域和模塊：
1. **電源管理**：
- 在高壓、高功率的電源管理模塊中，35N60CFD-VB可以作為主開關管使用，提供高效的電能轉換和穩定的電壓輸出，適用于工業設備和通信基站。
2. **電機驅動**：
- 在高壓直流電機和工業電機驅動模塊中，該MOSFET可以作為功率開關使用，提供可靠的電流傳輸和快速響應，適用于工廠自動化和機器人控制。
3. **電源逆變器**：
- 在電源逆變器中，35N60CFD-VB可以用作開關管，支持電能的高效逆變和輸出，適用于太陽能逆變器和電動汽車逆變器。
4. **電力因素校正器（PFC）**：
- 在PFC電路中，該器件可以用作功率開關和電壓調節器，支持電力因素的校正和功率的控制，適用于工業電力系統和家用電器。
5. **高壓直流輸電**：
- 在高壓直流輸電系統中，35N60CFD-VB可以用作開關管，支持高壓電能的傳輸和轉換，適用于電力輸電線路和能源互聯網。
35N60CFD-VB憑借其高壓、高功率特性和可靠性，適用于各種高壓、高功率的電力電子應用，是電子工程師在設計中的理想選擇。
