### 產品簡介

**型號：35N60C3-VB**

35N60C3-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造。該器件封裝在TO-247封裝中，具有650V的漏源電壓和47A的漏極電流，適用于要求高性能和高電壓的電源管理和開關控制應用。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO-247
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 75mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 47A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

**電源管理模塊**: 35N60C3-VB 適用于高電壓的高性能電源管理模塊，如工業電源和電力系統中的DC-DC轉換器和開關電源。

**電機驅動器**: 在需要控制電機的應用中，35N60C3-VB 可以用作電機驅動器中的開關元件。其高電流承載能力和低導通電阻使其適用于工業自動化設備和電動車中的電機控制。

**電力逆變器**: 由于其高電壓和高性能特性，35N60C3-VB 可以用作電力逆變器中的開關元件，將直流電源轉換為交流電源，用于電網連接的可再生能源系統。

**光伏逆變器**: 在太陽能光伏系統中，35N60C3-VB 可以用作光伏逆變器中的開關元件，將光伏電池板產生的直流電轉換為交流電，以供電網使用。

以上是一些35N60C3-VB 在不同領域和模塊中的應用示例，顯示了其高性能、高電壓和可靠性的特點。