### 一、產品簡介
**35CN10N-VB**是一款由VBsemi生產的N溝道功率MOSFET，采用TO220封裝。它適用于各種需要高電壓和高電流處理能力的電路中，具有優異的導通電阻和高功率處理能力。該MOSFET具有100V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），并采用先進的溝槽技術制造。
### 二、詳細參數說明
- **型號**：35CN10N-VB
- **封裝**：TO220
- **類型**：單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：100V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：38mΩ @ VGS=4.5V；36mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：55A
- **技術**：溝槽技術（Trench）
### 三、適用領域和模塊
**35CN10N-VB**適用于以下領域和模塊：
1. **電源管理**：
- **開關電源**：由于其高漏源電壓和高電流處理能力，35CN10N-VB適用于高功率開關電源，提供穩定的電源輸出。
- **UPS系統**：在UPS系統中，35CN10N-VB可用于逆變器模塊，提供高效的電源逆變和控制。
2. **工業控制**：
- **工業電機驅動**：在工業電機驅動系統中，35CN10N-VB用于電機控制模塊，提供高效的電機驅動和控制。
- **高壓直流電源**：在工業控制系統中，35CN10N-VB可用于高壓直流電源模塊，提供穩定的高壓直流電源輸出。
3. **電動汽車充電樁**：
- **電動汽車充電樁控制器**：在電動汽車充電樁中，35CN10N-VB可用于充電樁控制器，提供高效的充電管理和控制。
通過這些應用實例，35CN10N-VB展示了其在高電壓高電流處理領域中的廣泛應用潛力，能夠滿足各種不同環境下的需求。
