--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**型號:34HM8205-VB**
34HM8205-VB 是一款高性能雙N溝道和雙P溝道功率MOSFET,采用Trench技術制造。該器件封裝在SOT23-6封裝中,具有20V的漏源電壓和6A的漏極電流,適用于要求高性能和低電壓的電源管理和開關控制應用。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**: SOT23-6
- **配置**: 雙N溝道和雙P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ@VGS=2.5V
- 24mΩ@VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 6A
- **技術類型**: Trench

### 應用領域和模塊示例
**電源管理模塊**: 34HM8205-VB 適用于低電壓的高性能電源管理模塊,如移動設備和便攜式電子產品中的DC-DC轉換器和開關電源。
**電池保護電路**: 在需要對電池進行充電和放電控制的應用中,34HM8205-VB 可以用作鋰電池保護電路中的開關元件。
**LED驅動器**: 由于其低電壓和高性能特性,34HM8205-VB 可以用作LED驅動器中的開關元件,提供穩定的電流和亮度控制。
**便攜式電子產品**: 由于其小封裝和低電壓特性,34HM8205-VB 適用于便攜式電子產品中的電源管理和開關控制電路。
以上是一些34HM8205-VB 在不同領域和模塊中的應用示例,顯示了其高性能、低電壓和可靠性的特點。
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