### 產(chǎn)品簡介

**型號：32N50C3-VB**

32N50C3-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造。該器件封裝在TO-247封裝中，具有500V的漏源電壓和40A的漏極電流，適用于要求高性能和中等電壓的電源管理和開關控制應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-247
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 80mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 40A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

**電源管理模塊**: 32N50C3-VB 適用于中等電壓的高性能電源管理模塊，如DC-DC轉換器和開關電源。其低導通電阻和適中的電壓能力能夠提供高效的電源轉換和穩(wěn)定的電源輸出。

**電機驅(qū)動器**: 在電機驅(qū)動應用中，32N50C3-VB 可以用作控制電機的開關元件。其高電流承載能力和低導通電阻使其適用于電動工具、電動車和工業(yè)自動化設備中的電機控制。

**電池管理系統(tǒng)**: 32N50C3-VB 可以用于鋰電池保護電路中，用于電池充電和放電控制。其高電流承載能力和低導通電阻確保了電池的高效和安全運行。

**電力因素校正器**: 由于其適中的漏源電壓和電流承載能力，32N50C3-VB 適用于電力因素校正器中的開關電路，提高電力系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

以上是一些32N50C3-VB 在不同領域和模塊中的應用示例，顯示了其高性能、適中電壓和可靠性的特點。