### 產品簡介
**型號：31N65M5-VB**
31N65M5-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造。該器件封裝在TO-247封裝中，具有650V的漏源電壓和47A的漏極電流，適用于要求高性能和高電壓的電源管理和開關控制應用。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO-247
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 75mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 47A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊示例
**電源管理模塊**: 31N65M5-VB 適用于高性能電源管理模塊，如DC-DC轉換器和開關電源。其低導通電阻和高電流承載能力能夠提供高效的電源轉換和穩定的電源輸出。
**電機驅動器**: 在電機驅動應用中，31N65M5-VB 可以用作控制電機的開關元件。其高電流承載能力和低導通電阻使其適用于電動工具、電動車和工業自動化設備中的電機控制。
**電池管理系統**: 31N65M5-VB 可以用于鋰電池保護電路中，用于電池充電和放電控制。其高電流承載能力和低導通電阻確保了電池的高效和安全運行。
**電力因素校正器**: 由于其高漏源電壓和電流承載能力，31N65M5-VB 適用于電力因素校正器中的開關電路，提高電力系統的效率和穩定性。
以上是一些31N65M5-VB 在不同領域和模塊中的應用示例，顯示了其高性能、高電壓和可靠性的特點。
