--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 Dual-N+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**315C-VB**是一款由VBsemi生產的雙N+P溝道功率MOSFET,采用SOP8封裝。它適用于各種電力管理應用,特別適用于需要高性能和低導通電阻的場合。該MOSFET具有±30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),并采用先進的溝槽技術制造,具有優異的性能。
### 二、詳細參數說明
- **型號**:315C-VB
- **封裝**:SOP8
- **類型**:雙N+P溝道
- **漏源電壓(VDS)**:±30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.6V(N溝道) / -1.7V(P溝道)
- **導通電阻(RDS(ON))**:24mΩ(N溝道) / 50mΩ(P溝道) @ VGS=4.5V;18mΩ(N溝道) / 40mΩ(P溝道) @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:±8A
- **技術**:溝槽技術(Trench)

### 三、適用領域和模塊
**315C-VB** 適用于以下領域和模塊:
1. **功率管理模塊**:
- **電源管理**:315C-VB可用于電源管理模塊,如DC-DC轉換器和AC-DC電源適配器,提供高效的電源轉換和管理。
- **電池管理**:在便攜式電子設備中,315C-VB可用于電池管理模塊,提高電池的充電和放電效率。
2. **驅動器和放大器**:
- **電機驅動器**:在電機驅動器中,315C-VB用于控制電路,提供高效的電流管理和控制。
- **放大器**:315C-VB可用于放大器電路,提供穩定的電源輸出和高質量的音頻放大。
3. **工業控制**:
- **工業自動化**:在工業自動化設備中,315C-VB用于控制和管理電力傳輸過程,確保設備的穩定運行和高效工作。
- **電源模塊**:315C-VB可用于工業電源模塊,提供高效的電流傳輸和穩定的電源輸出。
通過這些應用實例,315C-VB展示了其在電力管理領域中的廣泛應用潛力,能夠滿足各種不同環境下的需求。
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