### 一、產品簡介
**30NM60N-VB**是一款由VBsemi生產的N溝道功率MOSFET，采用TO247封裝。它適用于各種高壓高電流電力管理應用，特別是在需要高開關頻率和低導通電阻的場合。該MOSFET具有650V的漏源電壓（VDS）和±30V的柵源電壓（VGS），并采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有優異的高壓性能和高電流處理能力。
### 二、詳細參數說明
- **型號**：30NM60N-VB
- **封裝**：TO247
- **類型**：單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：650V
- **柵源電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：75mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：47A
- **技術**：SJ_Multi-EPI
### 三、適用領域和模塊
**30NM60N-VB** 適用于以下領域和模塊：
1. **工業高壓控制**：
- **高壓控制電路**：在工業高壓控制系統中，30NM60N-VB用于控制電路，可以提高系統的可靠性和響應速度。
- **高壓電源模塊**：在工業高壓電源模塊中，30NM60N-VB能夠提供高效的電流傳輸和穩定的電源輸出。
2. **電力傳輸和變換**：
- **電力傳輸設備**：在電力傳輸設備中，30NM60N-VB用于控制和管理電力傳輸過程，確保電力傳輸的穩定和高效。
- **變壓器控制**：在變壓器控制系統中，30NM60N-VB可以用于控制變壓器的輸出，實現電壓和電流的調節。
3. **太陽能逆變器**：
- **太陽能逆變器**：在太陽能逆變器中，30NM60N-VB用于轉換太陽能電池板的直流電能為交流電能，提供給電網使用。
通過這些應用實例，30NM60N-VB展示了其在高壓高電流電力管理領域中的廣泛應用潛力，能夠滿足各種不同環境下的需求。
