### 產品簡介

30NM60ND-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO-247 封裝。具有 650V 的漏源電壓（VDS）和 ±30V 的柵源電壓（VGS），閾值電壓為 3.5V。其導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為 10V 時為 75mΩ。漏極電流（ID）可達 47A，采用 SJ_Multi-EPI 技術制造，具有高性能和可靠性。

### 詳細參數說明

| 參數       | 數值                    | 單位       |
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| 封裝類型   | TO-247                  | -          |
| 配置       | 單 N 溝道               | -          |
| 漏源電壓（VDS）| 650                   | V          |
| 柵源電壓（VGS）| ±30                  | V          |
| 閾值電壓（Vth） | 3.5                 | V          |
| 導通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V | 75          | mΩ         |
| 漏極電流（ID） | 47                   | A          |
| 技術       | SJ_Multi-EPI            | -          |

### 應用領域及模塊舉例

1. **電力電子**：
  30NM60ND-VB 可以用于高壓直流輸電系統、變頻器和電力因素校正裝置等電力電子設備中。其高耐壓和大電流特性，以及低導通電阻，能夠提高設備的效率和可靠性。

2. **工業控制**：
  在工業控制領域，30NM60ND-VB 可以應用于各種工業設備的電源管理和控制電路中。其高性能和可靠性使其適用于各種工業環境下的應用。

3. **電動汽車充電樁**：
  在電動汽車充電樁中，30NM60ND-VB 可以用于直流快充和交流充電樁的功率開關電路中。其高耐壓和大電流特性，能夠快速、高效地充電電動汽車。

4. **太陽能逆變器**：
  在太陽能逆變器中，30NM60ND-VB 作為關鍵的功率開關元件，能夠高效地處理太陽能電池板輸出的高壓電流，確保電能的高效轉換和穩定輸出。

通過以上應用示例，可以看出 30NM60ND-VB 具有廣泛的應用領域，適用于需要高性能和可靠性的電子設備和模塊中。