### 一、產品簡介
**30NM50N-VB**是一款由VBsemi生產的單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝。該器件具有高漏極電壓和低導通電阻的特點，適用于高壓、高功率的應用場景。30NM50N-VB在電源開關、電動汽車充電樁和工業電子等領域具有廣泛的應用前景。
### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：500V
- **柵源電壓（VGS）**：±30V
- **門限電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：140mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**：30A
- **技術類型**：SJ_Multi-EPI（多重外延結構）
### 三、應用領域和模塊示例
**30NM50N-VB**適用于以下領域和模塊：
1. **電源開關**：
- 在高壓、高功率的電源開關模塊中，30NM50N-VB可以作為主開關管使用，提供高效的電能轉換和穩定的電壓輸出，適用于工業設備和通信基站。
2. **電動汽車充電樁**：
- 在電動汽車快速充電樁中，該MOSFET可以用作功率開關和電壓穩定器，確保充電樁的高效穩定運行，適用于城市和高速公路充電站。
3. **工業電子**：
- 在工業控制和電力傳輸設備中，30NM50N-VB可以用作功率開關和電壓調節器，支持工業設備的高效穩定運行，適用于工廠自動化和電力系統。
4. **太陽能逆變器**：
- 在太陽能發電系統的逆變器中，該器件可以用作功率開關和電壓穩定器，確保太陽能電池板的輸出穩定，適用于家庭和商業太陽能發電系統。
5. **電源供應器**：
- 在高壓、高功率的電源供應器中，30NM50N-VB可以用作主開關管，支持設備的穩定供電，適用于數據中心和通信基站。
30NM50N-VB憑借其高壓、高功率特性和可靠性，適用于各種高壓、高功率的電力電子應用，是電子工程師在設計中的理想選擇。
