--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**產品型號**: 30N03B-VB
**封裝類型**: TO252
**產品概述**: 30N03B-VB是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術,具有優秀的性能和可靠性。該器件具有低導通電阻和高漏極電流特性,適用于各種高功率控制和轉換應用。
### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術類型**: Trench

### 三、應用領域和模塊舉例
**領域:**
1. **電源管理**: 30N03B-VB可用于各種高功率電源管理應用,如開關電源和逆變器。
2. **電機驅動**: 由于其高漏極電流和低導通電阻,該器件適用于高功率電機驅動模塊。
3. **汽車電子**: 在汽車電子系統中,可用于汽車燈光控制、電池管理等應用。
4. **工業控制**: 用于高功率工業控制系統,如高頻電源和電磁場控制。
**模塊:**
1. **開關電源**: 在高功率開關電源中,30N03B-VB可作為功率開關元件,實現高效的電能轉換。
2. **逆變器**: 在逆變器中,提供穩定和高功率輸出,適用于太陽能和風能轉換系統。
3. **電動工具**: 在電動工具中,可用于高功率電機驅動,提供高效的功率輸出。
4. **電動車輛**: 在電動車輛中,可用于電機驅動,提供高效的動力輸出和節能特性。
綜上所述,30N03B-VB MOSFET具有高功率處理能力和廣泛的應用范圍,能夠滿足不同高功率電子系統的需求,提高系統的效率和可靠性。
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