### 一、產品簡介

307N-VB 是一款采用 SOP8 封裝的雙N+N溝道MOSFET。它設計用于高功率應用，具有30V 的漏源電壓（VDS）和 ±20V 的柵源電壓（VGS），適用于需要高電壓和高電流的開關和放大電路。通過先進的溝槽（Trench）技術，這款MOSFET具有較低的導通電阻（RDS(ON)），在4.5V和10V的柵極驅動電壓下分別為 26mΩ 和 22mΩ，使其在高功率應用中能保持較低的導通損耗。

### 二、詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙N+N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 26mΩ @ VGS = 4.5V; 22mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 6.8A (上管), 6.0A (下管)
- **技術**: 溝槽（Trench）

### 三、應用領域和模塊示例

1. **電源開關**:
  307N-VB 可用于高功率電源開關，如開關電源、逆變器等。其高漏源電壓和導通電流能力，使其成為高性能電源開關的理想選擇。

2. **電機驅動**:
  在電機驅動應用中，這款MOSFET 可用于控制大功率電機的啟動、停止和速度調節。其高漏源電壓和低導通電阻確保了電機驅動的高效率和可靠性。

3. **汽車電子**:
  在汽車電子系統中，307N-VB 可用于車載電源管理、照明控制等。其高耐壓和高導通電流能力使其能夠應對汽車電子系統的各種工作條件。

4. **工業控制**:
  這款MOSFET 適用于工業控制系統中的高功率開關電路、馬達控制等。其高漏源電壓和導通電流能力有助于提高工業設備的效率和可靠性。

綜上所述，307N-VB 是一款高性能的雙N+N溝道MOSFET，適用于需要高電壓、高電流和高效率的各種高功率電子應用。